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Bleiben jetzt erstmal hier dran, mal gucke, wie lange es dauern wird Wenn Du vom Timing gut bist und exakt die Rückwärtsbewegung clickst, wird es nicht allzu lange dauern. Die Menge an Schritten steigert man ja erst später, wenn das Grundprinzip vom Hund begriffen wurde.
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Dank euch!!! Anonymous von Anonymous » 14. Dez 2007, 11:25 Versuch doch erstmal, dass der Hund durch deine Beine rückwärts durchlaufen kann, dann kommt das andere von alleine. Ein Hund muss das "Rückwärtslaufen" auch erst lernen. Also ich habe ihm das "Rückwärtslaufen" durch die Beine so geübt. Hund im Steh, hinter den Hund, den Hund zwischen den Beinen, dann bis zu den Ohren vor laufen, ein Leckerchen hinter den Rücken, dann irgendwann klappt das und er wird rückwärts durch deine Beine gehen. Hund rückwärts laufen wall. Und wenn er diese Übung gut beherrscht, und er das rückwärtslaufen auch schon kann, kannst du in die andere Übung übergehen. Dann wird eins das andere aufbauen, aber bitte Geduld mitbringen! :waving: von Moenchen75 » 14. Dez 2007, 11:37 Ja, davon hab ich reichlich. Aber wenn er von allein nicht rückwärts läuft dann wird er wohl erst recht nicht rückwärts durch meine Beine laufen. Das macht er ja nicht mal vorwärts:lol: von Anonymous » 14. Dez 2007, 15:49 Nein er wird ja von alleine durch deine Beine gehen, wenn du immer bis zu den Ohren gehst.
hat geschrieben: Über Fuß funktioniert es auch nicht so, da er da eben auch nicht so 100% läuft, hat immerhin für die BH gereicht:lol: Selbst wenn der Hund im Fuß rückwärts gehen könnte, kann er es deshalb noch lange nicht, wenn er frontal vorm HF rückwärts gehen muss. Hat man ein Kommando für das Rückwärts etabliert, geht es etwas schneller. Aber dennoch muss man es aus dieser Stellung getrennt aufbauen. Genauso ist es, wenn der Hund links gut läuft, macht er es rechts nicht automatisch gleich gut. Auch hier erfolgt ein neuer Aufbau, der aber schneller vom Hund umgesetzt werden kann, weil er das Prinzip vom Fuß her schon kennt. hat geschrieben: @ Krambambuli Aber dann setzt er sich doch wieder hin, sobald ich einen Schritt auf ihn zugehe? Weil mir folgen kann er und steh vor mir genauso Das ist ja gar nicht schlimm, weil es doch das ist, was am Ende auf ihn wartet. Ein korrektes Vorsitzen. Hund rückwärts lauren pas cher. Oder endet die Übung anders? hat geschrieben: Hab's jetzt mit dem Spieli probiert und so lange er unter Spannung steht, geht er auch hin und wieder mal ein, zwei Schritte nach hinten, das wird dann direkt geclickt und belohnt.
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(v. l. n. r): Peter Beckedahl (SEMIKRON), Michael Basler, Lars Knoll, Stephan Wirths, Prof. Dr. Leo Lorenz (ECPE) Nürnberg, 18. 03. 2022 (PresseBox) - In diesem Jahr hat die Jury beschlossen, den SEMIKRON Innovation Award an Stephan Wirths und sein Team von Hitachi Energy Ltd. Semiconductors in Lenzburg, Schweiz für die Arbeit mit dem Titel "High-k SiC Power MOSFETs for the Next Generation of E-mobility Power Modules" zu vergeben. Das Team hat eine neuartige MOS-Gate-Stack-Technologie auf der Basis von high-k Dielektrika für SiC-Leistungs-MOSFETs entwickelt, die die heutigen SiO2-Gate-Oxide ersetzen. Die SEMIKRON-Stiftung und ECPE zeichnen die SiC R&D Gruppe von Hitachi Energy Ltd. Semiconductors mit dem Innovationspreis 2022 aus. Der diesjährige Nachwuchspreis geht an Michael Basler. | SEMIKRON. Das herkömmliche Gate-Oxid ist ein Schwachpunkt heutiger SiC-MOSFETs, da es unter Defekten in der Oxid/SiC-Grenzflächen leidet und das starke elektrische Feld über dem Gate-Oxid sich negativ auf die Zuverlässigkeit der Bauelemente auswirkt. Die Innovation wurde durch die Herstellung voll funktionsfähiger vertikaler high-k Leistungs-SiC-MOSFETs für mehrere Spannungsklassen, nämlich 1, 2 kV, 1, 7 kV und 3, 3 kV, erfolgreich aufgebaut und verifiziert.
Leistungs-MOSFETs von Infineon 10. Januar 2022, 13:30 Uhr | Ralf Higgelke Das Source-Down-Konzept, das nun auch für die OptiMOS-Serie von Infineon zur Verfügung steht, hat eine ganze Reihe von Vorteilen. Oben ist das Standard-Gate-Layout zu sehen, das den Drop-in-Austausch von Drain-Down-Gehäusen vereinfacht, unten das Center-Gate-Layout, eine optimierte und einfachere Parallelisierung ermöglicht. Üblicherweise ist bei Leistungs-MOSFETs der Drain-Anschluss unten, was aber zuweilen ungünstig ist. Nun hat Infineon für seine OptiMOS-Serie ein 3, 3 mm × 3, 3 mm großes PQFN-Gehäuse vorgestellt, bei dem der Source-Anschluss unten ist. Emobilität in Kfz-Werkstätten. Hohe Leistungsdichte, optimierte Leistung sowie einfache Handhabung sind zentrale Anforderungen beim Design moderner Leistungssysteme. Als praktische Lösung für derartige Herausforderungen beim Design von Endanwendungen hat Infineon eine neue Generation der OptiMOS -Bausteine mit Source-Down -Technologie für die Spannungsklassen 25 V bis 100 V vorgestellt und ab sofort in zwei verschiedenen Grundflächenversionen erhältlich.